Numerische Analyse des Potentials der DUV-Scatterometrie zur Charakterisierung von EUV-Photomasken

EUV-Lithographie bei λ=13 nm ist ein Kandidat als Nachfolgetechnologie der optischen Lithographie. Zur Charakterisierung strukturierter EUV-Masken werden u. a. auch scatterometrische Verfahren zum Einsatz kommen. Geometrie und Dimensionen der Strukturen können alternativ zur EUV-Scatterometrie auch sehr gut mittels Scatterometrie bei bequemeren Wellenlängen z. B. im DUV gemessen werden. Gegenüber der EUV-Scatterometrie ist die DUV-Scatterometrie sehr viel weniger sensitiv bezüglich kleiner Variationen der MoSi–Vielfachschicht, so daß diese die Analyse der Strukturen nicht signifikant beeinflussen. Zusätzlich kann die hohe Sensitivität ellipsometrischer Verfahren ausgenutzt werden. Weiter bietet DUV-Scatterometrie die Möglichkeit, mit ggf. vorhandenen Messsystemen EUV-Masken zu charakterisieren. In Vorbereitung von Messungen bei 193 nm an EUV Testmasken mittels unseres neuartigen hybrid-ellipsometrischen DUV-Scatterometers wurden Eignung und Sensitivität des Verfahrens theoretisch auf der Basis rigoroser Beugungsrechnungen untersucht. Wir präsentieren die Ergebnisse dieser Studie und vergleichen das Potential der DUV-Scatterometrie mit alternativen Verfahren.