Untersuchungen zur Eignung der EUV-Scatterometrie zur quantitativen Charakterisierung periodischer Strukturen am Beispiel einer COG-Photomaske

Neben der Elektronenmikroskopie ist die EUV-Scatterometrie ein gut geeignetes Verfahren zur Charakterisierung periodisch strukturierter EUV-Masken für die Photolithographie und ist daher zur Zeit auch Gegenstand zahlreicher Untersuchungen. Scatterometrie im EUV-Wellenlängenbereich kann jedoch auch für andere Messobjekte wie zum Beispiel konventionelle Chrom-auf-Glas (COG) Photomasken alternativ oder ergänzend zu anderen Messverfahren interessant sein. Am Elektronenspeicherring BESSY II in Berlin wurden mit dem EUV-Reflektometer der PTB scatterometrische Messungen an einer periodisch strukturierten COG-Maske durchgeführt. Die Auswertung der Messungen erfolgte mittels rigoroser Beugungsrechnungen basierend auf der Methode der finiten Elemente. Der Vergleich der Ergebnisse mit AFM-, elektronenoptischen und optischen Messungen erlaubt eine Analyse der Eignung der EUV-Scatterometrie zur quantitativen Bestimmung verschiedener Strukturparameter wie z. B. Strukturbreiten, Gitterkonstanten, Schichtdicken oder Kantenwinkel auf COG-Photomasken. Zusätzlich erlauben diese Untersuchungen, die Eignung des verwendeten rigorosen Modells für die EUV-Scatterometrie experimentell zu testen.