Charakterisierung photorefraktiver Solitonen mit dem Modell eines Gaußbündels

Wir stellen ein neues Verfahren für die Charakterisierung von stabilen photorefraktiven 2D-Solitonen in photorefraktiven Kristallen basierend auf dem Modell der Gaußbündel vor. Bei dieser Methode wird die Wellenfront des Laserbündels an der Austrittsfläche des Kristalls, in dem sich das Soliton herausbilden kann, und die Positionen der Taillen der Eintritts- und Austrittsbündel bestimmt. Dieses Verfahren hängt nicht von der eingesetzten Abbildungsoptik ab und erlaubt einen einfachen Nachweis der Existenz eines Solitons im Kristall. Die Experimente wurden mit einem photorefraktiven SBN-Kristall und einem He-Ne-Laser (633nm) durchgeführt.