EUV-Lithographie - eine Herausforderung für die interferometrische Messtechnik

Die EUV-Lithographie ist die von der Halbleiter-Industrie favorisierte Technologie für die Herstellung von Strukturgrößen von 50 nm und darunter. EUV-Projektionsoptiken sind als rein reflektive Systeme auf eine Arbeitswellenlänge von λ=13 nm ausgelegt und bestehen aus bis zu 6 außeraxialen asphärischen Spiegeln. Beugungsbegrenzte Abbildung erfordert nach dem Marechal-Kriterium eine Wellenfront-Qualität in der Pupille von ≈λ/14 RMS. Ausgehend von einem 6-Spiegel-System ist so von jeder Asphäre eine Oberflächen-Genauigkeit von mindestens 0.2 nm RMS zu fordern. Dieser Vortrag behandelt schwerpunktmäßig die Problematik der interferometrischen Absolutmessung asphärischer EUV-Spiegel mit sub-nm Absolut-Genauigkeit. Gezeigt werden hier sowohl Anwendungs-Beispiele, als auch aktuelle Resultate.